ოპერატიული მეხსიერება პარამეტრები

[mail1]

შევიძინე kingston hyperx 2x1gb 1066mhz. საქმე ისაა რომ ევერესტი და cpu-z მიმტკიცებენ 800 მეგაჰერციანია, 400 მეგაჰერცზე მუშაობენ დუალ ჩანელშიო. (IMG:style_emoticons/default/tongue.gif) მენუელში გადავრთე 1066 მეგაჰერცზე და ნახევარ საათში dirt2-ის თამაშის დროს გადაიტვირთა.
მაზერი: p5q se2 fsb1600/1333/1066, ddr2 1200/1066/800.
cpu: dual core e6500, fsb1066
მანუელში ვოლტებიც ხომ არ ავწიო?
p.s.: ყველა მარკა და ნიშანი ამტკიცებს 1066 მეგაჰერციანიაო შეფუთვაზე.

[mail1]

Giena

mail1
ვოლტაჟიც მიეცი რაც აწერია ხელით, ოღონდ მეტი არ მოგივიდეს (IMG:style_emoticons/default/tongue.gif) და ტაიმინგებიც ხელით დაუყენე რაც აწერია...

2.2 აწერია ვოლტაჟი.
ინტერნეტში რუსების პოსტებს წავაწყდი ამ ოპერების მოდელთან დაკავშირებით, არის ორნაირი ერთიდაიგივე kingston hyperx 1gb 1066mhz მოდელი. აქედან ერთი არის
2 ranks, 4 banks ანუ ორ მხარეს აქვს ჩიპები ოთხ-ოთხი(სხვა რა ვუწოდო არ ვიცი პატარა შავ ლაქებს ოპერების მწვანე ფონზე (IMG:style_emoticons/default/mellow.gif) ) და არის 1 rank, 8 banks ----ერთ მხარეს აქვს რვავე. ამ უკანასკნელს კი აქვს ეს პრობლემა (ჩემი ჰიპერებიც ეგაა). სხვათაშორის ბიოსის განახლებამაც არ უშველა იმ რუსებს (IMG:style_emoticons/default/tongue.gif)
სამწუხაროდ სრულად ვერ გავიგე რას წერდნენ რუსები ენის კარგად არცოდნის გამო. კიდევ ასეთ ინფოს წავაწყდი(ინგლისურშიც ვკოჭლობ ამიტომ იქნებ გადმოაქართულოთ არამარტო ჩემთვის (IMG:style_emoticons/default/mellow.gif) ) :

DESCRIPTION:
Kingston's KHX8500D2T1K2/4G is a kit of two 256M x 64-bit 2GB (2048MB) DDR2-1066 CL5
SDRAM (Synchronous DRAM) memory modules, based on sixteen 128M x 8-bit DDR2 FBGA
components per module. Total kit capacity is 4GB (4096MB). Each module pair has been tested to
run at DDR2- 1066MHz at a latency timing of 5-5-5-15 at 2.2V - 2.3V. The SPD is programmed to
JEDEC standard latency 800Mhz timing of 5-5-5-18 at 1.8V. Each 240-pin DIMM uses gold contact
fingers and requires +1.8V. The electrical and mechanical specifications are as follows

FEATURES:
Power supply : Vdd: 1.8V ± 0.1V, Vddq: 1.8V ± 0.1V
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable Read latency 5 (clock)
Burst Length: 4, 8 (Interleave/nibble sequential)
Programmable Burst type (sequential & interleave)
Timing Reference: 5-5-5-18 at +1.8V / 5-5-5-15 at +2.2V - 2.3V
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval (8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
High Performance Heat Spreader
PCB : Height 1.180” (30.00mm), double sided component


PERFORMANCE:
Clock Cycle Time (tCK) CL=5 2.5ns (min.) / 8ns (max.)
Row Cycle Time (tRC) 51.5ns (min.)
Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFC) 127.5ns
Row Active Time (tRAS) 39ns (min.) / 70,000ns (max.)
Single Power Supply of +1.8V (+/- .1V)
Power 1.584 W (operating per module)
UL Rating 94 V - 0
Operating Temperature 0o C to 55o C
Storage Temperature -55o C to +125o C

მართალია აქ 2გიგაბიტიანია აღწერილი მაგრამ იგივე იქნება ერთგიგაბიტიანისთვისაც მგონი გარდა PERFORMANCE პუნქტისა.
აქედან დასკვნაა რომ თვითონ დავაყენოთ ოპტიმალური ვარიანტი (ან სადაც შევიძინეთ იქ ვაწვალოთ სპეციალისტები. ვინც არ იცის მაზერში სეირნობა იმან რა ქნას სხვა?? (IMG:style_emoticons/default/mellow.gif)