IDF 2009 SF: Intel-ი 22 ნმ ჩიპების დემონსტირებას ახდენს
Intel Developer Forum-ზე საკმაო ინფორმაცია გაჟღერდა Clarkdale (ჩიპი დესკტოპ სისტემებისთვის) და Arrandale (ჩიპი მობილური სისტემებისთვის) პროცესორების შესახებ. დამზადებისას ტექნიკური წუნი მცირეა, შესაბამისად, ორივე ბირთვზე აგებული პროცესორების მალე გაყიდვაში გაეშვება. Clarkdale-იც და Arrandale-ც Westmere ოჯახში ერთიანებდებიან. Westmere კი Intel-ის 32 ნმ ტექნოპროცესით დამზადებული პროცესორების დიდი ოჯახია.
![](/uploads/articles/news/intel/idf2009sf/1/12210_large_idf09_markbohr_mediaqa.jpg)
მარკ ბორი 22 ნმ ტექნოპროცესის შესახებ საუბრობს
ფორუმზე Intel-მა წარმოადგინა მუშა ჩიპები Sandy Bridge არქიტექტურიდან, რომლებიც ბაზარზე 2010 წელს გამოვა და Westmere-ს ჩაანაცვლებს. Westmere-ი დღევანდელი Nehalem-ის 32 ნმ "შეკუმშული" ვარიანტია, Sandy Bridge კი 32 ნმ ტექნოპროცესზე დამზადებული სრულიად ახალი არქიტექტურის პროცესორების ოჯახი იქნება. 2011 წელს მას Ivy Bridge-ი ჩაანაცვლებს, 22 ნმ ტექნოპროცესით დამზადებული "შეკუმშული" ვარიანტი, ხოლო 2012 წელს კი ვიხილავთ კიდევ ერთ ახალ არქიტექტურას - Haswell-ს. ასეთია Intel-ის Tick-Tock სტრატეგია. ყოველი Tick-ი ახალ ტექნოპროცესზე გადასვლას აღნიშნავს, Tock-ი კი ახალი არქიტექტურის აღნიშვნისთვის გამოიყენება.
დანარჩენისთვის დააჭირეთ სრულად-ს
2 წლის წინ, 2007 წლის IDF San Francisco-ზე Intel-მა წარადგინა მუშა 32 ნმ SRAM ტესტ ჩიპი. წელსაც მსგავსი პრეზენტაცია შედგა, მხოლოდ 22 ნმ ტექნოპროცესისთვის. 22 ნმ ტექნოპროცესის საშუალებით Intel-ს შეეძლება 2-ჯერ მეტი პროცესორის კრისტალი დატიოს ერთ "ვაფლზე" (Wafer) წარმოებისას. შესაბამისად, მას შემდეგ, რაც 22 ნმ წარმოების ტექნოპროცესი დაიხვეწება და ტექნიკური წუნი შემცირდება, პროცესორების წარმოება ინტელს უფრო იაფი დაუჯდება, ვიდრე ახლა.
![](http://www.compinfo.ge/uploads/articles/news/intel/idf2009sf/1/12212_large_22nm20chip.jpg)
![](/uploads/articles/news/intel/idf2009sf/1/12213_large_32nm20yield.jpg)
ნანოტექნოლოგიებში, როგორც ყოველთვის, Intel-ი ახლაც ლიდერია - იგი პირველია ინდუსტრიაში, ვინც 22 ნმ ტექნოპროცესით დამზადებული მუშა ჩიპების პრეზენტაცია მოახდინა. Intel-ის 22 ნმ ტესტ ჩიპები შეცავენ არა მხოლოდ SRAM წრედებს, არამედ ლოგიკასა და შერეული სიგნალის ტრანზისტორებსაც, როგორიცაა PLL წრედები. სატესტო 364 მეგაბიტიანი ჩიპი აგებულია 2.9 მილიარდი ტრანზისტორისგან ინტელის მესამე თაობის High-K/Metal Gate ტექნოლოგიით. ამჟამად Intel-ს ორი ტიპის 22 ნმ ტრანზისტორი აქვს დამზადებული: პირველი გამოიყენება მაღალი წარმადობის მქონე პროცესორების დასამზადებლად და მისი ფართობია 0.092 კვადრატული მიკრონი, ხოლო მეორე, რომლის ფართობია 0.108 კვადრატული მიკრონი, გამოიყენება დაბალძაბვიან სისტემებში, როგორიცაა Atom SoC (System-on-a-Chip).
ბეჭდვითი ვერსია | 26-09-2009, 18:48:00 | Power_VANO
|